KOKUSAI ELECTRIC的优势

KOKUSAI ELECTRIC集团在半导体制造的众多工序中，以左右半导体设备性能的成膜工艺、处理（膜质改善）工艺为中心开展事业。这些工艺包括单片式和批量式，单片式是在每次对一片晶圆进行成膜，而批量式则可以一次对数十片以上的晶圆进行成膜，具有高生产效率的特点。应对这些工艺技术的KOKUSAI ELECTRIC集团的批量成膜设备和单片处理设备受到了全球半导体设备生产商的高度评价，并拥有世界顶级的市场份额。

半导体设备市场正在迅速扩大，市场需求从手机和电脑等传统消费产业逐步转向数据中心、下一代移动通信系统、AI ^※1等高成长行业。在此环境下，半导体设备也逐渐向更复杂的三维结构转变。为了应对半导体设备市场的这一进化，KOKUSAI ELECTRIC集团开发并推进了纳米级别的成膜技术，这种技术能应对具有大量高深宽比※2的窄深槽孔的晶圆，以及通过施加等离子体和热量来改善膜质的处理技术，以满足全球半导体设备制造商的需求。

KOKUSAI ELECTRIC集团的这些技术，是热流体力学、机械工程学、控制工程学、电气电子工程学以及材料工程学、物理工程学、等离子体工程学等的集大成，并非一朝一夕所能培养的。我们不满足于现状，在各个领域日益打磨技术，通过融合这些技术，创造出能够满足客户需求的创新。

ALD(Atomic Layer Deposition)^※3技术是是一项高难度技术，能够使高品质薄膜具有优异的台阶覆盖率^※4，随着半导体设备的进化，其需求日益增加。由于该ALD技术是循环式供给多种气体，因此成膜花费时间较长，生产效率存在难点。一次可以在超过几十片晶圆成膜的批量成膜技术因其较高的生产效率，成为了有效的解决方案。本集团的批量ALD技术将ALD技术与批量沉积技术相结合，兼顾了难度较高的薄膜形成和高生产效率，对于具有大量高深宽比的槽孔的晶圆，也能够以较高的生产效率进行台阶覆盖优异的薄膜，因此可以称得上是实现应对半导体进化和开展广泛应用的最具逻辑性的解决方案。

处理（膜质改善）技术是指通过在成膜后施加等离子体或热量，去除膜中的杂质并稳定粒子，从而改善膜质的技术。随着半导体设备的精细化与复杂化，低温环境下的成膜需求日益增加，膜质改善技术作为在低温环境下实现膜质改善的解决方案，其需求也在不断扩大。

KOKUSAI ELECTRIC集团致力于开发使用新方法的膜质改善技术，旨在即使在严苛条件下，也能使半导体设备发挥原有的性能，为此我们开发了提高现有薄膜质量的处理方法。例如，通过开发提供丰富反应种的工艺，我们为拥有200层以上深孔的3D-NAND提供了具有优异台阶覆盖率的处理方法，并已被主要内存制造商采用。此外，我们使用新型原料对反应种的种类和现象进行监控和模拟，分析反应模型，以推进更合适处理方法的开发。